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J-GLOBAL ID：202202273575118690   整理番号：22A0843586

エミッタ面積と温度による陽子放射SiGe HBTの性能依存性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on the performance dependence of proton radiated SiGe HBTs with emitter area and temperature

著者 (6件)： Wei Yinlong (School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China) ,  Lan Kuibo (School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China) ,  Wang Zhi (School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China) ,  Wei Junqing (School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China) ,  Ma Zhenqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Qin Guoxuan (School of Microelectronics, Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300072, China)
資料名： Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics  (Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics)
巻： 36  号： 3  ページ： 2150559  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0431A  ISSN： 0217-9849  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,液体窒素温度(77K),室温および加熱ホットプレート(393K)における異なるエミッタ面積を有する陽子放射シリコン-ゲルマニウム(SiGe)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のDCおよびAC性能を提示した。エミッタ面積と温度に対する性能依存性を調べた。その結果,大きなエミッタ面積を有するSiGe HBTは,陽子放射により,より多くの損傷を持った。さらに,SiGe HBTは室温よりも極端な温度で陽子放射に対してより良い耐性を示した。基本的な機構を明らかにするために,放射SiGe HBTをデバイス構造とパラメータに基づいてモデル化した。電子密度,Shockley-Read-Hall(SRH)再結合およびキャリア移動度をデバイスモデルから抽出し,放射SiGe HBTの性能依存性に主要な影響を与えることを実証した。結果は,極端な環境におけるSiGe HBTの応用に対する有用な指針を提供する。Copyright 2022 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  再結合 ,  電子密度 ,  *温度依存性 ,  面積 ,  モデリング ,  素子構造 ,  *固体素子モデル ,  HBT【トランジスタ】
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  液体窒素温度 ,  陽子放射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エミッタ面積 ,  極端な温度 ,  物理機構 ,  陽子放射 ,  SiGe HBT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： エミッタ ,  面積 ,  陽子放射 ,  SiGe ,  HBT ,  依存性 ,  研究