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J-GLOBAL ID：202202273613523393   整理番号：22A1094856

任意のファセットを持つ原子平滑性へのSiCウエハ研磨の一般的戦略【JST・京大機械翻訳】

A general strategy for polishing SiC wafers to atomic smoothness with arbitrary facets

著者 (9件)： Ji Peixuan (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang Kaimin (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Zhang Zhenzhen (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Zhao Mei (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Li Rui (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Hao Danni (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Moro Ramiro (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Ma Yanqing (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China) ,  Ma Lei (Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems, Tianjin University, 92 Weijin Road, Nankai District, Tianjin, 300072, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCはグラフェンのエピタキシャル成長に必須であり,次世代高出力エレクトロニクスのための理想的な材料として有望である。グラフェンの電子特性は,成長したファセットに大きく依存した。したがって,ファセットの選択は,その望ましい特性を得るための余分なチューニングパラメータを提供する。SiCウエハ上の元のグラフェンの成長の主要因の一つとして,それらの粗さは原子的に滑らかである必要がある。本研究では,任意のファセットを有するSiCウエハに適用した研削,機械的研磨および化学機械研磨(CMP)手順のデータ駆動研究を提示した。研磨段階における現象と原理を論じた。SiCの特定のファセットは独特の原子配列を持つので,CとSiの面には異なるレシピが必要で,それらの性能を調べる。興味深いが,まれに研究された(11≦550)ファセットを,手順を適用するための非極性ケースの例として取り上げた。機械的研磨における材料除去速度(MRR)は,ファセット硬度に直接関連することが分かった。したがって,(11×550)ファセットのMRRは,その過程で最も遅いが,CMPの間,そのMRRはSi面より18倍速く,異なる化学的および物理的研磨機構を示す。従って,SiCの任意のファセットの原子的に平滑なウエハを生成するために調整できる研磨レシピを提案した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *研磨 ,  研削 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  同調 ,  *ウエハ【IC】 ,  表面粗さ ,  電子技術 ,  *ファセット ,  グラフェン ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： 原子配列 ,  材料除去 ,  材料除去率 ,  機械研磨 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化ケイ素 ,  任意のファセット ,  化学機械研磨 ,  材料除去率

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  平滑性 ,  SiC ,  ウエハ ,  研磨 ,  戦略