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J-GLOBAL ID：202202274152892492   整理番号：22A0230682

異なる入射角に対するSi(100)の投射体質量依存ナノパターン形成【JST・京大機械翻訳】

Projectile’s mass-dependent nanopatterning of Si (100) for different incidence angles

著者 (8件)： Vandana (Department of Physics, Kurukshetra University, Kurukshetra 136119, India) ,  Chhokkar Preeti (Department of Physics, Kurukshetra University, Kurukshetra 136119, India) ,  Chhokkar Preeti (Department of Physics, Govt College, Bherian, Kurukshetra 136119, India) ,  Kumar Sushil (Department of Nanosciences & Materials, Central University of Jammu, Jammu 181143, India) ,  Singh Vinamrita (Department of Applied Sciences & Humanities, Netaji Subhas University of Technology, East Campus, Delhi 110031, India) ,  Pandey Ratnesh K (Department of Physics, School of Engineering, University of Petroleum and Energy Studies, Dehradun 248007, Uttarakhand, India) ,  Kumar Tanuj (Department of Nanosciences & Materials, Central University of Jammu, Jammu 181143, India) ,  Kumar Shyam (Department of Physics, Kurukshetra University, Kurukshetra 136119, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 309  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビームパラメータを変化させることによる固体表面の巨視的領域におけるナノスケールパターンの寸法の制御は,電子,光学およびオプトエレクトロニクス応用に有用である。本研究では,入射角の関数として,リップルの投射物体(ArおよびKr)質量依存性成長に関する比較研究を示した。斜め注入は,~60°で最高の秩序化で,50°~70°Cの間のリップルを生成した。重質量注入(Kr+)は,より軽いAr+イオンと比較して,より短い波長のリップルのより高い振幅を生成し,その逆も同様である。組成研究は,より高い浸透範囲でのAr+のより広い表面近傍損傷がKr+に比べて長いリップル波長を生成することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオンビーム ,  浸透 ,  波長 ,  投射物体 ,  *オプトエレクトロニクス ,  入射角
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *ナノパターニング ,  質量依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： イオンビーム ,  リップルパターン ,  スパッタリング収率 ,  RMS粗さ ,  Bradley-Harper(BH)モデル ,  流体力学モデル

分類 (3件)： 表面処理  (YH04112X) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 入射角 ,  Si ,  投射 ,  体質量 ,  ナノパターン形成