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J-GLOBAL ID:202202274366347355   整理番号:22A0396672

a-InGaZnO薄膜トランジスタの動的自己加熱劣化におけるホットキャリアの役割【JST・京大機械翻訳】

Roles of Hot Carriers in Dynamic Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors
著者 (9件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 40-43  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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動的自己加熱(SH)劣化を,一定のドレインバイアスと様々なゲートパルスの下で,a-InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFTs)上で研究した。閾値電圧(V_SiWth||)の負のシフトに加えて,DC SHストレス下のそれと同様に,ドレインとソース近くの非対称劣化は,同時ホットキャリア(HC)効果を明らかにした。ドレイン近くのHC誘起局所障壁は,あるSH誘起V_SiWπ*シフトを補償し,一方,劇的なSH効果は,ハード破壊を引き起こすために,HC障壁を十分高くするであろう。動的SH応力下のa-IGZO TFTでは,SHとHC効果間の相互作用が劣化挙動を支配し,ゲートパルスの落下時間によって敏感に調整でき,動的不安定性を少なくする実現可能な方法を示唆した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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