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J-GLOBAL ID：202202275425015046   整理番号：22A1100878

Al_2O_3キャッピング層を用いた電極の影響から遊離したHf_0.5Zr_0.5O_2薄膜の強誘電性【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectricity of Hf_0.5Zr_0.5O2 Thin Films Free From the Influence of Electrodes by Using Al2O3 Capping Layers

著者 (6件)： Wan Jiaxian (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Chen Xue (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Ji Liwei (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Tu Zexin (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Wu Hao (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, the School of Physics and Technology, and the Hubei Key Laboratory of Nuclear Solid Physics, Wuhan University, Wuhan, China) ,  Liu Chang (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and the School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1805-1810  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化チタン電極有りと無しのプラズマ増強原子層堆積(PEALD)により調製したHf_0.5Zr_0.5O_2薄膜の強誘電性を実証した。Hf_0.5Zr_0.5O_2薄膜の優れた強誘電性を分極対電圧(P,V)および圧電応答力顕微鏡(PFM)ヒステリシスループにより確認した。2P_r値は,窒化チタントップとボトム電極で8Vのスイープ電圧の下で,53ΩμC/cm2に達することができる。Al_2O_3キャッピング層(AOCL)の導入により,試料の2P_r値は,アニーリング温度と電極材料にそれほど敏感でない47μC/cm2に達することができる。同時に,漏れ電流も著しく減少した。典型的なP,VoIPVループは,異なる電極材料またはアニーリング温度を有するサンプルに対して常に観察できる。これらの結果は不揮発性メモリとシナプスデバイスにおける実用化に有益である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  電圧 ,  *薄膜 ,  分極 ,  窒化物 ,  *強誘電性 ,  シナプス ,  漏れ電流 ,  電極材料 ,  チタン化合物 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  圧電応答力顕微鏡 ,  ヒステリシスループ ,  アニーリング温度 ,  *キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： キャッピング層 ,  薄膜 ,  強誘電性