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J-GLOBAL ID：202202275524572097   整理番号：22A0858278

単層GaInS_2の歪と電場変調間接-直接バンド遷移【JST・京大機械翻訳】

Strain and electric field-modulated indirect-to-direct band transition of monolayer GaInS₂

著者 (5件)： Betal Atanu (Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India) ,  Bera Jayanta (Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India) ,  Alam Mahfooz (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India) ,  Gandi Appala Naidu (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India) ,  Sahu Satyajit (Department of Physics, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 21  号： 1  ページ： 227-234  発行年： 2022年 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層GaInS_2の歪および電場依存性電子および光学特性を密度汎関数理論(DFT)を用いて計算し,時間依存DFT(TD-DFT)GaInS_2単分子層は,それぞれKとΓ点間およびΓ点において価電子バンド最大(VBM)および伝導バンド最大(CBM)が残留する1.79eVの間接バンドギャップを示し,一方,4%圧縮歪では,この材料は,Γ点においてVBMおよびCBMを有する2.22eVの間接から直接バンドギャップまで変化する。圧縮歪の更なる増加により,CBMはΓからM点へシフトし,再び間接バンドギャップをもたらした。また,電場は単層GaInS_2のバンド構造に影響し,4V/nmの正電場で直接から間接バンドギャップへ遷移をシフトさせ,これは表面に垂直な。歪依存光学特性も計算し,吸収係数が圧縮歪と共に増加することを示唆した。本研究は,GaInS_2の単層への二軸歪と電場の適用で,広範囲のバンドギャップ変化と光学的性質の改善を実証した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  光学的性質 ,  *電場 ,  電子 ,  単分子層 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  電場依存性 ,  間接バンドギャップ ,  二軸ひずみ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 二次元材料 ,  単分子層 ,  バンド遷移 ,  歪工学 ,  電場効果 ,  電子物性 ,  光学特性

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  歪 ,  電場変調 ,  間接 ,  バンド ,  遷移