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J-GLOBAL ID：202202275680032009   整理番号：22A0848230

イオンカット層移動を用いた光センサとCMOS回路によるモノリシック3D集積【JST・京大機械翻訳】

Monolithic 3D Integration With Photosensor and CMOS Circuits Using Ion-Cut Layer Transfer

著者 (4件)： Han Hoonhee (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Cho Hyeon Cheol (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Jang Seok Min (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 3  ページ： 430-433  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック3D(M3D)集積のための薄いSi層移動プロセスを水素イオン(H+)注入を用いて提案した。上部Si層は,H+注入,酸化物-酸化物結合,および低温(<500°C)での劈開過程により,下部基板上に作製したCMOS回路に転送された。CMOSデバイスに接続した光センサから成るM3Dシステムを実証し,移動Si層の厚さと粗さをH+注入とその後のプロセスにより決定した。ヘテロ接合光センサーを,光曝露により光電流(I_ph)を発生する転写Si層上に作製した。M3Dプロセスにより実装された垂直構造の光センサとリング発振器回路は,光露光強度に従ってI_phを生成し,それに応じて異なる周波数挙動を示した。連続デバイススケーリングアプローチと比較して,M3Dは,低電力,高性能,および多機能デバイスのための代替方式であるかもしれない。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  光電流 ,  低温 ,  陽子 ,  酸化物 ,  機能素子 ,  *三次元 ,  *集積 ,  リング発振器 ,  転写 ,  *光センサ ,  *CMOS
準シソーラス用語： 低電力化 ,  *CMOS集積回路 ,  光曝露 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  光センサ ,  CMOS回路 ,  3D ,  集積