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J-GLOBAL ID:202202275986207975   整理番号:22A0956595

多層h-BN-オン-サファイアのサブバンドギャップ光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Sub-bandgap photoluminescence properties of multilayer h-BN-on-sapphire
著者 (10件):
資料名:
巻: 33  号: 21  ページ: 215702 (7pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二次元六方晶窒化ホウ素(h-BN)材料は,固有の量子点欠陥をホストするその能力により,ますます注目を集めている。本論文は,バルク状多層h-BN膜におけるサブバンドギャップレベル発光に関連した光ルミネセンス(PL)マッピング研究を提示した。空間PL強度分布を,ゼロフォノン線(ZPL)とフォノン側波帯(PSB)発光ピークとそれらの線幅に関して500nm空間分解能で注意深く解析し,その結果,膜内の潜在的量子点欠陥を同定した。2種類のZPLとPSB発光を膜の非エッジとエッジに位置する点欠陥から確認した。サンプルの非エッジおよびエッジ領域からの統計的PLデータは,それぞれ広く,狭い発光を明らかにした。これらの欠陥の測定した光学特性と,77°と300Kの間の温度の関数としてのZPLピークシフトと線広がりを定性的および定量的に説明した。さらに,元のh-BNが532nmレーザで照射されたとき,少なくともx3の因子による光安定性PL発光の増強が観察された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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原子・分子のクラスタ  ,  固体の機械的性質一般  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (5件):
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