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J-GLOBAL ID：202202276062644053   整理番号：22A0958708

SiCパワーデバイスにおける重イオン誘起漏れ電流の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Heavy-Ion-Induced Leakage Current in SiC Power Devices

著者 (10件)： Johnson Robert A. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Witulski Arthur F. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Ball Dennis R. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Galloway Kenneth F. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Sternberg Andrew L. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Reed Robert A. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Schrimpf Ronald D. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Alles Michael L. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA) ,  Lauenstein Jean-Marie (NASA/GSFC, Code 561.4, Greenbelt, MD, USA) ,  Hutson John M. (Electrical and Computer Engineering Department, Lipscomb University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 248-253  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスにおけるイオン誘起逆漏れ電流を解析する方法について述べた。得られた方法論は,漏洩ステップの大きさに対して,漏洩電流のステップ増加と高感度ダイ領域の分布を生成するイオン衝突の割合の推定を可能にする。これらの結果を,各変数の影響を分離するために,種々のバイアスとイオン線形エネルギー移動の組み合わせで比較した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオンビーム ,  エネルギー移動 ,  *漏れ電流 ,  イオン衝突 ,  *重イオン ,  バイアス ,  高感度
準シソーラス用語： SiCパワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiCパワーデバイス ,  重イオン ,  誘起 ,  漏れ電流 ,  解析