Johnson Robert A. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Witulski Arthur F. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Ball Dennis R. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Galloway Kenneth F. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Sternberg Andrew L. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Reed Robert A. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Schrimpf Ronald D. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Alles Michael L. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Station B 351825, Nashville, TN, USA について
Lauenstein Jean-Marie について
NASA/GSFC, Code 561.4, Greenbelt, MD, USA について
Hutson John M. について
Electrical and Computer Engineering Department, Lipscomb University, Nashville, TN, USA について
IEEE Transactions on Nuclear Science について
イオンビーム について
エネルギー移動 について
漏れ電流 について
イオン衝突 について
重イオン について
バイアス について
高感度 について
SiCパワーデバイス について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
トランジスタ について
SiCパワーデバイス について
重イオン について
誘起 について
漏れ電流 について
解析 について