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J-GLOBAL ID：202202276870774115   整理番号：22A1173029

ゲート仕事関数工学短チャネルEモードN極性GaN MOS-HEMTのためのチャネル電位,電場,閾値電圧およびドレイン電流の解析的モデル開発【JST・京大機械翻訳】

Analytical model development of channel potential, electric field, threshold voltage and drain current for gate workfunction engineered short channel E-mode N-polar GaN MOS-HEMT

著者 (3件)： Panda D. K. (School of Electronics, VIT-AP University, Amravati, India) ,  Panda D. K. (Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, Assam, India) ,  Lenka T. R. (Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, Assam, India)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 28  号： 3  ページ： 675-682  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,増強モード(Eモード)短チャネルN極性GaN MOS-HEMTを提案した。異なる短チャネル効果を緩和するために,仕事関数工学技術をゲート電極に適用した。チャネル電位,電場閾値電圧,ドレイン電流の解析モデルをデバイス用に開発し,Atlas TCADシミュレーション結果で検証した。異なるチャネル長さに関する最小チャネル電位と閾値電圧の変化も実行した。三重材料ゲートを有するデバイスは,単一および二重材料ゲートベースデバイスと比較して,短いチャネル効果の良好な制御を示すことが観察された。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  シミュレーション ,  *電位 ,  *電場 ,  CAD【計算機】 ,  電極 ,  *窒化ガリウム ,  チャネル ,  *ゲート【半導体】 ,  *HEMT ,  短チャネル効果 ,  解析モデル
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  *ドレイン電流 ,  TCAD ,  ゲート電極 ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (16件)： ゲート ,  仕事関数 ,  工学 ,  短チャネル ,  極性 ,  GaN ,  MOS ,  HEMT ,  チャネル ,  電位 ,  電場 ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  解析 ,  モデル ,  開発