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J-GLOBAL ID：202202276992908811   整理番号：22A0704685

誘電体層堆積によるグラフェン関連および基板関連Ramanモードの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of graphene-related and substrate-related Raman modes through dielectric layer deposition

著者 (6件)： Pietak Karolina (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Jagiello Jakub (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Dobrowolski Artur (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Budzich Rafal (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Wysmolek Andrzej (Faculty of Physics, University of Warsaw, ul. Pasteura 5, 02-093 Warsaw, Poland) ,  Ciuk Tymoteusz (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 6  ページ： 063105-063105-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,原子層蒸着非晶質Al_2O_3不動態化内の構造信号干渉により,水素挿入準自立エピタキシャル化学蒸着グラフェンのRaman活性モードと基礎となる半絶縁性6H-SiC(0001)基板の増強法を示した。グラフェン2Dモードの85nmの最適Al_2O_3厚さと964cm-1のSiC縦光学A_1モードの82nmの1つは,それらのスペクトル強度の60%増加を可能にすることを見出した。グラフェン表面の誘電厚さと高分解能トポグラフィーイメージングのRamanベース決定におけるこの方法の効率を実証した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  干渉 ,  基板 ,  *誘電体 ,  不動態化 ,  炭化ケイ素 ,  厚み ,  非晶質 ,  二次元 ,  スペクトル線強度 ,  化学蒸着 ,  高分解能 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 半絶縁性 ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 堆積 ,  グラフェン ,  増強