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J-GLOBAL ID：202202277035891532   整理番号：22A0788542

高次SezawaモードAlscn/Gan/サファイア弾性表面波共振器【JST・京大機械翻訳】

High-Order Sezawa Mode Alscn/Gan/Sapphire Surface Acoustic Wave Resonators

著者 (7件)： Zheng Yue (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology,Atlanta,GA,USA) ,  Wang Jialin (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology,Atlanta,GA,USA) ,  Park Mingyo (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology,Atlanta,GA,USA) ,  Wang Ping (University of Michigan,Department of Electrical Engineering and Computer Science,Ann Arbor,MI,USA,48109) ,  Wang Ding (University of Michigan,Department of Electrical Engineering and Computer Science,Ann Arbor,MI,USA,48109) ,  Mi Zetian (University of Michigan,Department of Electrical Engineering and Computer Science,Ann Arbor,MI,USA,48109) ,  Ansari Azadeh (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology,Atlanta,GA,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： MEMS  ページ： 1046-1049  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,3×6GHzで動作する窒化ガリウム(GaN)/サファイア多層構造上のエピタキシャルアルミニウムスカンジウムニトリド(AlScN)に基づく表面音響波(SAW)共振器の最初の実証について報告する。Al_0.8Sc_0.2Nエピタキシャル膜を,分子線エピタキシー(MBE)でGaN/サファイア上に成長させた。サブミクロンピッチサイズのディジタル変換器を電子ビームリソグラフィー(EBL)でパターン化した。高度圧電AlScNエピ層,高品質(Q)因子,高次Sezawaモードが,エピ-AlScN/GaN/サファイア構造で初めて探査され,4.6GHzで571のBodeQ因子を示した。同じエピタキシャルスタック上で,Al_0.8Sc_0.2Nの強誘電分極スイッチングが実証され,音響共振器と強誘電体キャパシタのモノリシック集積機会が開かれた。COMSOLシミュレーションを用いて,エピ-AlScN/GaN/サファイアSAW共振器の周波数応答は,GaN/サファイア共振器に対する圧電応答の増強を示した。各伝搬モードのAl_0.8Sc_0.2Nの正規化厚さに対する位相速度を解析し,実験値と比較した。さらに,各モードに対する周波数の温度係数(TCF)を温度依存周波数応答から評価し,約30ppm/Kの安定した値を600Kまで示した。エピ膜の熱安定性は,それらを高温応用のための大きな候補にする。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *共振器 ,  高温 ,  シミュレーション ,  周波数応答 ,  圧電気 ,  温度依存性 ,  多層構造 ,  *サファイア ,  窒化ガリウム ,  MBE成長 ,  正規化 ,  電子ビームリソグラフィー ,  パターン形成
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  強誘電分極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  サファイア ,  弾性表面波共振器