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J-GLOBAL ID：202202277072064526   整理番号：22A0976798

化学蒸着により成長させたトポロジカル絶縁体Bi_2(Te_0.23Se_0.77)_3ナノワイヤにおける表面状態の円形光ガルバノ効果【JST・京大機械翻訳】

Circular photogalvanic effect of surface states in the topological insulator Bi₂(Te_0.23Se_0.77)₃ nanowires grown by chemical vapor deposition

著者 (7件)： Li Minggui (Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China) ,  Yu Jinling (Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China) ,  Cui Guangzhou (Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China) ,  Chen Yonghai (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China and College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Lai Yunfeng (Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China) ,  Cheng Shuying (Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China) ,  He Ke (Department of Physics, State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 11  ページ： 113902-113902-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着により合成した単結晶三元トポロジー絶縁体Bi_2(Te_0.23Se_0.77)_3ナノワイヤの円形光ガルバニック効果(CPGE)を調べた。ナノワイヤ中の元素の分布はかなり均一であり,それらは高い結晶品質を有することを実証した。Bi_2Se_3ナノワイヤと比較して,三元Bi_2(Te_0.23Se_0.77)_3ナノワイヤは円偏光に対してより良い応答性を示した。CPGE電流の入射角依存性は,ナノワイヤの表面状態の対称性がC_3v対称性に属することを示した。CPGE電流の温度依存性も調べた。温度が300から77Kに低下すると,CPGE電流は最初増加し,次に減少し,それは温度による移動度と光生成キャリア密度の変化に起因した。本研究は,三元Bi_2(Te_1-xSe_x)_3ナノワイヤが,偏光感受性光電デバイスを設計するための良好な候補であることを示唆する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  対称性 ,  単結晶 ,  電流 ,  光生成 ,  偏光 ,  応答特性 ,  温度依存性 ,  円偏光 ,  キャリア密度 ,  *化学蒸着 ,  *ナノワイヤ ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学蒸着 ,  成長 ,  トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  円形 ,  光ガルバノ効果