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J-GLOBAL ID：202202277077876079   整理番号：22A1161961

微細加工表面イオントラップ上のRF絶縁破壊のその場検出【JST・京大機械翻訳】

In situ detection of RF breakdown on microfabricated surface ion traps

著者 (7件)： Wilson Joshua M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Tilles Julia N. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Haltli Raymond A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Ou Eric (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Blain Matthew G. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Clark Susan M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Revelle Melissa C. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 13  ページ： 134401-134401-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細加工表面イオントラップは多くのイオンベースの量子情報科学プラットフォームの主成分である。これらのデバイスの操作パラメータは,実験が性能増加に努めるので,それらの物理的能力の端に押し出される。適用した高周波(RF)電圧を過度に増加させると,デバイスはRF破壊として知られる損傷放電事象を経験する。Sandia国立研究所で生成された表面イオントラップのブレークダウン閾値を特性化しながら,RFブレークダウンのin situ検出に2つの新しい技術を導入した。これらのトラップでは,破壊はRF電圧の増加直後には必ずしも起こらなかったが,しばしば数分または数時間後には発生しなかった。この結果は,真空におけるRF破壊の提案機構との関連で驚くべきものである。さらに,破壊事象に起因する可視損傷の程度は印加電圧とともに増加した。RF電力が最初にデバイスに適用されるとき,損傷の確率を最小化するために,著者らの結果は,電圧が数時間の経過にわたって上昇して,故障のためにモニターするべきであることを強く示唆した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  検出 ,  *絶縁破壊 ,  電圧 ,  表面 ,  放電 ,  HF【周波数】 ,  キャラクタリゼーション ,  *微細加工 ,  *イオントラッピング
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  操作パラメータ ,  高周波電力 ,  高周波電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微細 ,  加工表面 ,  イオントラップ ,  RF ,  絶縁破壊