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J-GLOBAL ID：202202277247712977   整理番号：22A0909429

取付具によるGaN高電子移動度トランジスタロードプル測定のためのボンディングワイヤ相互接続デエンベディング【JST・京大機械翻訳】

Bonding wire interconnection de-embedding for GaN high electron mobility transistor loadpull measurement with fixture

著者 (7件)： Wang Lu-Lu (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Fang Wen-Rao (Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Huang Wen-Hua (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Li Jia-Wei (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Shao Hao (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Fu Chao (Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  He Tian-Wei (Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 93  号： 2  ページ： 024706-024706-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い電力容量とインピーダンス整合ネットワークを有する試験設備を,高出力窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの測定のために一般的に選択した。試験設備とデバイスの相互接続を行うために,ワイヤボンディングは有効な組立方法である。ボンディングワイヤは,特にSパラメータ測定および負荷プル測定において,支配的寄生要素となり,デバイス測定およびモデリングのために考慮し,正確に取り込むべきである。本論文では,ベクトルネットワークアナライザによるボンディングワイヤのSパラメータ測定を達成するために,試験固定具と反射線キャリブレーションキットを設計した。ボンディングワイヤの等価インダクタンスは,試験設備に基づいて提案された電磁シミュレーションモデルとコンパクトな回路モデルによって得ることができる。試験固定具とモデルで抽出した等価インダクタンスの良好な一致は,ボンディングワイヤ相互接続を特徴付ける方法が効果的で正確であることを検証した。CreeのCGHV1J006Dを,ボンディングワイヤの正確なモデルを証明するためにSパラメータ測定を取るために選択した。最後に,2mmゲート幅トランジスタの等価インダクタンスを電磁モデルで得た。ドレインインピーダンスは,ロードライン理論と一致するボンディングワイヤ効果による負荷プル測定後に正確に計算される。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  インピーダンス ,  *トランジスタ ,  電力 ,  ネットワーク ,  *相互接続 ,  ワイヤボンディング ,  *窒化ガリウム ,  回路モデル ,  *HEMT ,  インピーダンス整合
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  ベクトルネットワークアナライザ ,  GaN HEMT ,  *ロードプル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 取付具 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ロードプル ,  ボンディングワイヤ ,  相互接続