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J-GLOBAL ID：202202277249274563   整理番号：22A0796709

パルスMOCVDにより堆積したβ-Ga_2O_3膜に及ぼすO_2パルスの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of O₂ pulse on the β-Ga₂O₃ films deposited by pulsed MOCVD

著者 (28件)： Zhang Tao (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Tao (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Yifan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Yifan (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Cheng Qian (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Cheng Qian (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hu Zhiguo (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hu Zhiguo (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Ma Jinbang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Ma Jinbang (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Yao Yixin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Yao Yixin (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zuo Yan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zuo Yan (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Feng Qian (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Feng Qian (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Yachao (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Yachao (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhou Hong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhou Hong (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Ning Jing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Ning Jing (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Chunfu (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Chunfu (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 6  ページ： 8268-8275  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスMOCVDによりc面サファイア基板上にβ-Ga_2O_3膜を堆積し,TEGaとO_2を2つのパルスとして反応器に交互に供給した。成長過程の間,Gaパルスは0.1分に保たれ,O_2パルスはそれぞれ0.1,0.2および0.3分に設定した。XRDは,β-Ga_2O_3膜が(-201)結晶面ファミリーに沿って優先的に成長し,他の結晶方位は観察されなかったことを示した。β-Ga_2O_3膜は均一な表面形態を有し,粒径はO_2パルスの増加と共にわずかに増加した。XRDロッキング曲線は,O_2の0.2分パルスで堆積したβ-Ga_2O_3膜が最良の結晶品質を有することを示した。すべてのβ-Ga_2O_3膜のPLスペクトルは,250から800nmの広いUV-可視光ルミネセンス領域を示した。UV,青色および緑色発光に対応する3つの明白な主な光ルミネセンスピークを観測した。O_2の0.2分パルスで堆積したβ-Ga_2O_3膜から光検出器を作製し,安定な光電性能を示し,光-暗電流比は15Vで1.7×105と高かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  基板 ,  光検出器 ,  光ルミネセンス ,  表面構造 ,  *ガリウム ,  結晶方位 ,  X線回折分析 ,  暗電流 ,  *パルス ,  サファイア ,  ロッキングカーブ ,  *MOCVD ,  モルフォロジー ,  結晶面
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  表面形態 ,  サファイア基板 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： β-Ga_2O_3 ,  フィルム ,  MOCVD ,  パルス ,  サファイア

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルス ,  MOCVD ,  堆積