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J-GLOBAL ID：202202277273770025   整理番号：22A0911537

複雑なトポロジカルドメイン構造に埋め込まれた不揮発性強誘電分域壁メモリ【JST・京大機械翻訳】

Nonvolatile Ferroelectric-Domain-Wall Memory Embedded in a Complex Topological Domain Structure

著者 (16件)： Yang Wenda (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Tian Guo (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Fan Hua (The Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518000, China) ,  Zhao Yue (The Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518000, China) ,  Chen Hongying (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Zhang Luyong (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Wang Yadong (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Fan Zhen (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Hou Zhipeng (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Chen Deyang (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Gao Jinwei (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Zeng Min (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Lu Xubing (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Qin Minghui (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Gao Xingsen (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Liu Jun-Ming (Laboratory of Solid-State Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 34  号： 10  ページ： e2107711  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子サイズの導電性強誘電体ドメイン壁の発見と正確な操作は,広範囲の有望な電子素子と,壁トロニクスの新興分野のための新しい機会を提供する。ここでは,トポロジードメイン構造に幾何学的に閉じ込められた導電性ドメイン壁の決定論的生成と消去に基づく,非常に安定で疲れ耐性の不揮発性メモリデバイスを示した。エピタキシャルBiFeO_3膜上に一対の繊細に設計した同軸電極を導入することにより,導電性荷電ドメイン壁を持つ中心型四分円トポロジードメインを容易に作製できた。より重要なことに,高導電性閉じ込め壁を有する収束状態と絶縁拘束壁を有する発散状態の間の四分円領域の可逆的スイッチングを実現し,>104の大/オフ比および技術的に好ましい読出し電流(最大40nA)を有する見かけの抵抗変化をもたらした。固定四半円フェロ弾性ドメインからの制約により,デバイスは108サイクル以上の優れた回復再現性と12日以上の長い保持(>106s)を示した。これらの結果は,高性能強誘電体-ドメイン-壁メモリに向けた新しい経路を提供し,これは,壁トロニクスの新興分野での巨大な可能性の探索に広範な興味をかけるかもしれない。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  エピタクシー ,  *記憶装置 ,  強誘電体 ,  電荷 ,  電流 ,  電極 ,  弾性 ,  固体素子 ,  *強誘電分域 ,  不揮発性メモリ ,  導電性
準シソーラス用語： 分域境界 ,  *ドメイン構造 ,  電子素子 ,  抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 磁壁メモリ ,  強誘電分域壁 ,  極性トポロジードメイン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカルドメイン ,  不揮発性 ,  誘電分域壁