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J-GLOBAL ID：202202277282191992   整理番号：22A0430784

非晶質SiZnSnO薄膜トランジスタの電気的性能に及ぼすサブバンドギャップ状態密度の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of sub-band gap density of states on the electrical performance of amorphous SiZnSnO thin film transistor

著者 (4件)： Saha D. (Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Saha D. (Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Lee Sang Yeol (Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Lee Sang Yeol (Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 188  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波スパッタ非晶質SiZnSnO薄膜トランジスタ(TFTs)について,製作,電気特性および数値シミュレーションを行った。非晶質チャネル材料のサブバンドギャップ状態密度(DOS)の性質を抽出するために,実験的移動曲線を数値シミュレーション結果と比較した。電子波動関数の無秩序誘起局在化に起因する欠陥状態を数値シミュレーション過程において考察した。伝導バンドテールに対する抽出したDOSはa-Si:Hのそれよりも約2桁低いことが分かった。さらに,伝導と価電子帯のテール状態の間に無秩序非対称性も観測された。バンドテールに加えて,Gauss浅いドナー様状態と深い準位アクセプタ様トラップも考慮した。SiZnSnO TFTの電気的性能に対するこれらの欠陥状態の影響を詳細に調べた。このような研究は,デバイス物理の基本的な理解と,非晶質SiZnSnOベースのTFT性能と安定性のさらなる改善に有用である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  波動関数 ,  *薄膜トランジスタ ,  非対称性 ,  *非晶質 ,  伝導バンド ,  電気特性 ,  価電子バンド ,  *状態密度 ,  非晶質半導体 ,  RFスパッタリング ,  深い準位
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  局在化 ,  *サブバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アモルファス半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  RFスパッタリング ,  電気特性評価 ,  数値シミュレーション ,  状態密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜トランジスタ ,  サブバンドギャップ ,  状態密度