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J-GLOBAL ID：202202277473281096   整理番号：22A0974772

二層構造を有する不揮発性高速スイッチングZn-O-N薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Nonvolatile High-Speed Switching Zn-O-N Thin-Film Transistors with a Bilayer Structure

著者 (9件)： Kim Hyoung-Do (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea) ,  Naqi Muhammad (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Jang Seong Cheol (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea) ,  Park Ji-Min (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea) ,  Park Yun Chang (National Nano Fab Center, Republic of Korea) ,  Park Kyung (Semiconductor Process Laboratory, WONIK IPS, Republic of Korea) ,  Nahm Ho-Hyun (Department of Physics, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Kim Sunkook (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Kim Hyun-Suk (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 11  ページ： 13490-13498  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnONベースの薄膜トランジスタ(TFTs)は50cm2/Vsの高い電界効果移動度とバイアスと光照射下での例外的な安定性を持つので,酸窒化亜鉛(ZnON)は電流非晶質酸化物半導体の性能と安定性限界を克服する可能性を有する。しかし,弱い亜鉛-窒素相互作用のため,ZnONは化学的に不安定であり,空気中で急速に揮発する。結果として,ZnON TFTに関する最近の研究は,空気安定性の改善に焦点を合わせてきた。著者らは,ZnF_2/ZnON二層構造がキャリア制御性を有する空気安定性を達成する容易な方法を提供することを,実験的および第一原理研究を通して実証した。ZnF_2層がZnONと空気の間の原子混合を効果的に保護し,ZnONキャリア濃度の減少がZnONから界面へ拡散した窒素欠乏の浅いから深い電子遷移に起因するので,空気安定性(例えば窒素非揮発化)のこの増加は起こる。さらに,ZnF_2/ZnON二層構造に基づくTFTは,比較的低いポストアニーリング温度でさえ,高い電界効果移動度(~100cm2/Vs)の最適スイッチング特性を保持しながら,長期空気安定性を可能にした。ZnF_2/ZnON二層TFTデバイスは1kHzと0.1MHzの間の高速スイッチング挙動を示し,一方,安定で明確なスイッチング応答を維持し,次世代高速電子応用の道を開く。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  化合物半導体 ,  キャリア移動度 ,  相互作用 ,  電子遷移 ,  電流 ,  *亜鉛 ,  可制御性 ,  窒素 ,  *薄膜トランジスタ ,  光照射 ,  非晶質 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *揮発 ,  電界効果移動度 ,  アニーリング温度 ,  酸化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸亜鉛 ,  空気安定性 ,  二分子層 ,  フッ化亜鉛 ,  密度汎関数理論 ,  パルスゲートスイッチング

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層構造 ,  不揮発性 ,  スイッチング ,  Zn ,  薄膜トランジスタ