文献

J-GLOBAL ID：202202277530334170   整理番号：22A1047602

トリフルオロヨードメタンを用いたSiO_2の原子層エッチング【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer etching of SiO₂ using trifluoroiodomethane

著者 (4件)： Kim Seon Yong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea) ,  Park In-Sung (Institute of Nano Science and Technology, Hanyang University, Seoul 04763, Korea) ,  Ahn Jinho (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea) ,  Ahn Jinho (Division of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 589  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,二酸化ケイ素(SiO_2)の原子層エッチング(ALE)を,容量結合プラズマ反応器中でトリフルオロヨードメタン(CF_3I)を用いて行った。最初に,フルオロカーボンポリマーをCF_3Iプラズマを用いて堆積し,SiO_2表面をフッ素化した。第2に,堆積したポリマーとフッ素化SiO_2をO_2プラズマを用いて除去した。種々のプロセス変数を最適化することによって,9.3Åのサイクル当たりのエッチング速度を300Wの制御源出力で得た。さらに,第1段階における高分子沈着に対するCF_3I曝露と第2段階における高分子除去に対するO_2曝露の間に自己制限特性を確認した。最後に,CF_3Iがヨウ素を含むので,エッチング基板上の残留ヨウ素を分析した。ヨウ素化合物はSiO_2ALEプロセスの間に生成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  最適化 ,  プラズマ ,  重合体 ,  ヨウ素 ,  フッ素樹脂 ,  フッ素化 ,  二酸化ケイ素 ,  高分子 ,  ヨウ素化合物 ,  加工速度 ,  プロセス変数 ,  沈着 ,  フロン
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  容量結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層エッチング ,  トリフルオロヨードメタン(CF_3I) ,  二酸化ケイ素(SiO_2) ,  非地球温暖化ガス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： トリフルオロヨードメタン

タイトルに関連する用語 (2件)： トリフルオロヨードメタン ,  原子層エッチング