Xie Hai-Qing について
Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China について
Cui Kai-Yue について
Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China について
Cai Xi-Ya について
Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China について
Fan Zhi-Qiang について
Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China について
Physics Letters. A について
Schottky障壁 について
正孔 について
電流 について
トランジスタ について
半導体 について
電力 について
電極 について
FET【トランジスタ】 について
炭化ケイ素 について
ドーピング について
二次元 について
密度汎関数法 について
ITRS について
遅延時間 について
非平衡Green関数 について
Schottky障壁高さ について
異なるp型ドーピング濃度 について
SiC について
電界効果トランジスタ について
密度汎関数理論 について
トランジスタ について
SiC について
トランジスタ について
p型ドーピング について
誘起 について
性能改善 について