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J-GLOBAL ID：202202277786198308   整理番号：22A0747056

MEMSベース圧電センサ用のZnOおよびAlN薄膜の構造,機械的および電気的性質の比較研究【JST・京大機械翻訳】

A comparative study of structural, mechanical & electrical properties of ZnO and AlN thin films for MEMS based piezoelectric sensors

著者 (6件)： Srivastava Vinay Kumar (Semi-conductor Laboratory, Department of Space, Mohali, Punjab, India) ,  Singh Jaspreet (Semi-conductor Laboratory, Department of Space, Mohali, Punjab, India) ,  Kumar Parlad (Department of Mechanical Engineering, Punjabi University, Patiala, Punjab, India) ,  Arora Sataypal Singh (Semi-conductor Laboratory, Department of Space, Mohali, Punjab, India) ,  Singh Satinder Pal (Semi-conductor Laboratory, Department of Space, Mohali, Punjab, India) ,  Singh Surinder (Semi-conductor Laboratory, Department of Space, Mohali, Punjab, India)
資料名： Materials Research Express  (Materials Research Express)
巻： 9  号： 2  ページ： 026402 (13pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5570A  ISSN： 2053-1591  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,圧電センサへの応用のためのZnO(Zinc酸化物)とAlN(Allumum Nitride)薄膜の相対性能を比較するために比較研究を行った。SEM,XRD,およびナノインデンテーションのような種々の材料キャラクタリゼーション技術を用いて,薄膜材料特性を特性化した。さらに,MIM(Metal-Insulator-Metal)ベースのデバイスを,Al電極間に挟んだ圧電膜を用いて作製した。デバイスを機械的及び電気的性能について評価した。デバイスの固有振動数は46.8kHz(ZnO)と40.8kHz(AlN)として記録された。MIM構造の平均公称キャパシタンスは,ZnOおよびAlNデバイスに対して,それぞれ~0.03および~0.0005として得られた対応する散逸係数として,98pFおよび120pFとして測定した。90日までの試料デバイスと出力の再現性を調べた。結果は,AlNデバイスがZnOデバイスと比較してより良い出力安定性を示したことを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  固有振動数 ,  *薄膜 ,  *電気的性質 ,  電極 ,  *アルミニウム ,  酸化物 ,  *酸化亜鉛 ,  静電容量 ,  *窒化アルミニウム ,  MIM構造 ,  圧電センサ ,  ナノインデンテーション ,  *MEMS
準シソーラス用語： 薄膜材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (7件)： MEMS ,  圧電センサ ,  ZnO ,  AlN ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  研究