文献

J-GLOBAL ID：202202277805146255   整理番号：22A1161874

超低動作電圧を有する分子強誘電体の単結晶薄膜メモリアレイ【JST・京大機械翻訳】

Single-Crystalline Thin-Film Memory Arrays of Molecular Ferroelectrics with Ultralow Operation Voltages

著者 (14件)： Xu Mingsheng (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Chen Jiajun (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Zhou Xiaojie (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Xie Yongfa (School of Chemistry and Chemical Engineering/Ordered Matter Science Research Center, Nanchang University, People’s Republic of China) ,  Chen Luqiu (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, People’s Republic of China) ,  Wang Jiao (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Sheng Chenxu (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Tian Bobo (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, People’s Republic of China) ,  Wang Hong (School of Materials, Sun Yat-sen University, People’s Republic of China) ,  Wang Wenchong (Physikalisches Institut and Center for Nanotechnology, Universitaet Muenster, Germany) ,  Cong Chunxiao (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Qiu Zhi-Jun (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Liu Ran (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Hu Laigui (School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
資料名： ACS Materials Letters  (ACS Materials Letters)
巻： 4  号： 4  ページ： 758-763  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6388A  ISSN： 2639-4979  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近開発された分子強誘電体(MFs)の大部分は優れた強誘電特性を示すが,実用的な応用は,限られた分極軸,高品質薄膜のための貧弱な加工能力,およびマイクロエレクトロニクスのための成熟したリソグラフィー技術との不和合性によってまだ妨げられている。ここでは,1回,すなわち,ディウェッティング支援パターニング結晶化戦略で上記の障害を避けることができるリソグラフィー適合性の溶液処理戦略を用いて,MFベースの単結晶マイクロデバイスアレイを成功裏に実証した。プロタイプとして,多軸MF[3-オキソキヌクリジニウム]-ClO_4([3-O-Q]-ClO_4)の均一で良く配向した単結晶薄膜アレイを調製した。よく配向した結晶方位と分極方向のため,得られた単結晶不揮発性メモリ(NVM)アレイは,約1.6Vの超低動作電圧と106の長い耐久性サイクルを示し,これは他の有機NVMデバイスより優れている。本研究は,特に低コストフレキシブルエレクトロニクスのためのデータ蓄積のための高密度単結晶メモリアレイへの有望な経路を意味する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  結晶化 ,  *単結晶 ,  *薄膜 ,  分極 ,  *分子 ,  結晶方位 ,  強誘電性 ,  リソグラフィー ,  不揮発性メモリ ,  マイクロエレクトロニクス ,  パターン形成
準シソーラス用語： 脱濡れ ,  *メモリアレイ ,  フレキシブルエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 動作電圧 ,  分子 ,  強誘電体 ,  単結晶薄膜 ,  メモリアレイ