文献

J-GLOBAL ID：202202277814555957   整理番号：22A0499720

液相エピタクシーにより作製したNi/SiO_2/P-Siダイオードの電流輸送と誘電解析【JST・京大機械翻訳】

Current Transport and Dielectric Analysis of Ni/SiO₂/P-Si Diode Prepared by Liquid Phase Epitaxy

著者 (4件)： Ashery A. (Solid State Electronics Laboratory, Solid State Physics Department, Physics Division, National Research Centre, Giza, Egypt) ,  Elnasharty Mohamed M. M. (Microwave Physics and Dielectrics Department, National Research Centre, Giza, Egypt) ,  El Radaf I. M. (Electron Microscope and Thin Films Department, Physics Division, National Research Centre, Giza, Egypt) ,  El Radaf I. M. (Materials Physics and Energy Laboratory, College of Sciences and Art at ArRass - Qassim University, ArRass, Saudi Arabia)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 1  ページ： 153-163  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,液相エピタクシー(LPE)プロセスによりNi/SiO_2/p-SiMISダイオードを開発した。構造および表面形態をXRDおよびSEM法で調べた。デバイスの電気的研究,Ni/SiO_2/n-Si,は,I-Vキャラクタリゼーションを用いて,Schottkyダイオードの価値ある整流と電気的パラメータを実証した。静電容量(C),誘電率(ε′),誘電損失(ε′′),コンダクタンスおよびac伝導率(σ_ac)のような異なる誘電パラメータを評価した。さらに,バイアスdc電圧との関係を,周波数範囲10Hz-20MHz,温度303Kから363K,およびDCバイアス電圧2Vから2Vまで調べ,可変調査パラメータは温度,周波数およびバイアス電圧に依存することを見出した。Copyright Springer Nature B.V. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  Schottky障壁ダイオード ,  静電容量 ,  *液相 ,  *液相成長 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 表面形態 ,  バイアス電圧 ,  *電流輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MISダイオード ,  液相エピタキシャル ,  X線回折 ,  直列抵抗 ,  ダイオード理想因子 ,  Ac伝導率

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 液相エピタクシー ,  作製 ,  Ni ,  Si ,  ダイオード ,  電流輸送 ,  解析