Li Ruidong について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Li Ruidong について
Department of Basic Courses, Institute of Disaster Prevention, Hebei, China について
Deng Jinxiang について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Kong Le について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Meng Junhua について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Luo Juxin について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Zhang Qing について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Gao Hongli について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Yang Qianqian について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Wang Guisheng について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Wang Xiaolei について
Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China について
Journal of Electronic Materials について
X線回折 について
基板 について
結晶構造 について
光学的性質 について
電流 について
銀 について
波長 について
X線回折分析 について
ドーピング について
電気特性 について
透過率 について
Ohm接触 について
原子間力顕微鏡 について
基板温度 について
光学ギャップ について
表面形態 について
石英基板 について
Nbドープβ-Ga_2O_3膜 について
基板温度 について
形態と粗さ について
光学特性 について
電気特性 について
半導体薄膜 について
酸化物薄膜 について
固体デバイス材料 について
Nb について
ドープ について
基板温度 について