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J-GLOBAL ID:202202278122675092   整理番号:22A1156200

Nbドープβ-Ga_2O_3膜の構造と特性に及ぼす基板温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Substrate Temperature on Structure and Properties of Nb-Doped β-Ga2O3 Films
著者 (11件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 2390-2395  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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Nbドープβ-Ga_2O_3膜を,種々の基板温度で高周波マグネトロンスパッタリング技術を用いてp-Si(100)と石英基板上に堆積した。すべての膜はアルゴン雰囲気中でアニールした。膜の表面形態と結晶構造を原子間力顕微鏡とX線回折技術を用いて研究し,その結果,基板温度が523Kのとき,膜は平坦な表面と良好な結晶構造を持つことを示した。試料の光学的性質を調べ,その結果,Nbドープβ-Ga_2O_3膜は,400nm以上の波長で80%以上の高い透過率を示した。さらに,Nbドープβ-Ga_2O_3膜の光学バンドギャップは基板温度の増加と共に減少した。電気特性は,基板温度が523Kのとき,電流がより大きく,Ag電極とNbドープβ-Ga_2O_3膜間の接触がオーム接触であることを示した。すべての結果は実際の応用に有益である。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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半導体薄膜  ,  酸化物薄膜  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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