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J-GLOBAL ID：202202278244334274   整理番号：22A0707241

電子シナプス用の非対称GaN/ZnO人工抵抗メモリデバイス【JST・京大機械翻訳】

Asymmetric GaN/ZnO Engineered Resistive Memory Device for Electronic Synapses

著者 (14件)： Khan Muhammad Umair (Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea) ,  Khan Muhammad Umair (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Furqan Chaudhry Muhammad (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Furqan Chaudhry Muhammad (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Kim Jungmin (Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea) ,  Khan Sobia Ali (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, South Korea) ,  Saqib Qazi Muhammad (Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea) ,  Chougale Mahesh Y. (Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea) ,  Shaukat Rayyan Ali (Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea) ,  Kang Moon Hee (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, South Korea) ,  Kobayashi Nobuhiko P. (Baskin School of Engineering, University of California Santa Cruz, California, United States) ,  Bae Jinho (Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea) ,  Kwok Hoi-Sing (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Kwok Hoi-Sing (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 1  ページ： 297-307  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称抵抗メモリデバイスは,クロスバーアレイにおけるクロストーク効果を低減するために,より適切である。同様に,本研究では,電子シナプスに対するクロストーク効果を低減するための一方向工学抵抗スイッチングメモリデバイスを達成するための材料および設計概念に焦点を当てた。ITO/ZnO Schottkyダイオードによるパルス変調DCスパッタ結晶GaNヘテロ接合は一方向ディジタル抵抗スイッチングをもたらした。非対称多状態抵抗スイッチング挙動を達成するために,ITO/ZnO Schottky障壁の上にDCスパッタ多結晶GaNを用いた。シナプス手術は,安定なシナプススパイク速度依存性可塑性(SRDP),スパイク刺激依存性可塑性(STDP),および長期増強/抑制(LTP/LTD)を調査するのを助ける。装置の重量変化を,システムレベルニューラルネットワークにおける修正国立標準技術研究所(MNIST)画像認識技術によって評価した。シミュレーション部分は,非対称神経形態デバイスが,AI推論アプリケーションを実装するためのクロスバーアレイにおけるクロストーク効果の低減を助けることができるという概念を深める。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  塑性 ,  *記憶装置 ,  シミュレーション ,  ダイオード ,  ニューラルネットワーク ,  *酸化亜鉛 ,  *シナプス ,  *非対称性 ,  多結晶 ,  応用プログラム ,  *窒化ガリウム ,  クロストーク
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： STDP ,  SRDP ,  長期増強/抑制 ,  窒化ガリウム ,  電子シナプス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  シナプス ,  非対称 ,  GaN ,  ZnO ,  人工 ,  抵抗メモリ