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J-GLOBAL ID：202202278969240244   整理番号：22A0680713

半導体[(CH_3)P_4]FeCl_4における温度誘起相転移 Raman散乱と誘電率【JST・京大機械翻訳】

Temperature induced phase transitions in semiconducting [(CH₃)P₄]FeCl₄: A Raman scattering and dielectric permittivity

著者 (1件)： ben gzaiel M. (Laboratory for spectroscopic characterization and optics of materials, Faculty of Sciences, University of Sfax, B.P. 1171, Sfax 3000, Tunisia)
資料名： Journal of Molecular Structure  (Journal of Molecular Structure)
巻： 1254  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0948B  ISSN： 0022-2860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルキルホスホニウムとハロフェノラートファミリーは,それらの広い分野応用に従って多様な研究を受ける。しかし,これらの化合物は種々の相転移を示す。本研究では,Raman散乱と誘電率を用いて[(CH_3)P_4]FeCl_4化合物の相転移を研究した。この試料は,室温で低速蒸発溶液成長法を用いて成功裏に合成した。463KまでのRamanスペクトルの温度依存性は,相転移に伴う有機および無機成分の特異的再配向および分子変位を明らかにした。温度の関数としての誘電率の変化は緩和時間の分布を示し,これは恐らくアルキル鎖の再配向動力学による。さらに,誘電研究の結果は,Raman測定から導かれた結論を確認し,相転移が368Kと438K付近に位置することを示した。一方,温度に対するm(T)の依存性は,(CBH)モデルが[(CH_3)_4P]FeCl_4化合物におけるAC伝導の責任機構であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Raman散乱 ,  Ramanスペクトル ,  緩和時間 ,  *散乱 ,  蒸発 ,  *相転移 ,  *半導体 ,  *誘電率 ,  温度依存性 ,  再配向 ,  溶液成長 ,  アルキル基 ,  フェノラート ,  低速度
準シソーラス用語： 伝導機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 半導体化合物 ,  相転移 ,  伝導機構

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘起 ,  相転移 ,  Raman散乱 ,  誘電率