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J-GLOBAL ID：202202279865245006   整理番号：22A1100855

N_2Oガス吸着MnドープMoSe_2単分子層の増強された電子および磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Electronic and Magnetic Properties of N₂O Gas Adsorbed Mn-Doped MoSe₂ Monolayer

著者 (4件)： Mishra Neha (Department of Electronics and Communication Engineering, Madan Mohan Malaviya University of Technology (MMMUT), Gorakhpur, Uttar Pradesh, India) ,  Pandey Bramha P. (Department of Electronics and Communication Engineering, Madan Mohan Malaviya University of Technology (MMMUT), Gorakhpur, Uttar Pradesh, India) ,  Kumar Brijesh (Department of Electronics and Communication Engineering, Madan Mohan Malaviya University of Technology (MMMUT), Gorakhpur, Uttar Pradesh, India) ,  Kumar Santosh (Shandong Key Laboratory of Optical Communication Science and Technology, School of Physics Science and Information Technology, Liaocheng University, Liaocheng, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1634-1641  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算を用いて,MnドープMoSe_2単層(Mn-MoSe_2)と酸化二窒素(N_2O)吸着MnドープMoSe_2単層(N_2O/Mn-MoSe_2)の電子(磁性)特性を提示した。吸着エネルギーと磁気モーメントは,純粋なMoSe_2単層(ML)と比較して,ドープした系で著しく増強された。ドープ系のd電子と結合長に及ぼす気体分子の吸着の影響を調べた。より小さい生成エネルギー(-6.62eV)は,ドープした配置の安定性を示す。同様に,バンド構造計算に基づくMn-MoSe_2とN_2O/Mn-MoSe_2から希薄磁性半導体を明らかにした。さらに,変調バンドギャップは,それぞれ,0.783(Mn-MoSe_2)から0.622(N_2O/Mn-MoSe_2)の因子によって,伝導率の変化をもたらした。さらに,磁気安定性を推定するために,磁気異方性エネルギー(MAE)をドープ系に対して抽出した。このように,MAEの得られた負の値は,Mn-MoS_2(N_2O/Mn-MoSe_2)が面内磁化に好ましいことを示した。さらに,Curie温度(T_c)と磁気交換結合(J)を計算し,ドープしたMn-MoSe_2MLと吸着Mn-MoSe_2MLの両方におけるロバスト強磁性を示した。さらに,吸着N_2OガスとドープML間の相互作用を状態密度(DOS)からそれぞれ軌道重なりの計算を通して検証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  強磁性 ,  磁気モーメント ,  相互作用 ,  核間距離 ,  *単分子層 ,  *磁気 ,  *ドーピング ,  状態密度 ,  磁性 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  第一原理計算 ,  d電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガス吸着 ,  Mn ,  ドープ ,  単分子層 ,  増強 ,  電子 ,  磁気特性