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J-GLOBAL ID：202202280089671245   整理番号：22A1173153

その場X線光電子分光法研究:CVD成長三層MoS_2薄膜の内殻準位スペクトルに及ぼす不活性Arスパッタエッチングの効果【JST・京大機械翻訳】

In situ X-ray photoelectron spectroscopy study: effect of inert Ar sputter etching on the core-level spectra of the CVD-grown tri-layer MoS₂ thin films

著者 (8件)： Jayaseelan V. (Nanotechnology Research Centre (NRC), SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Jayaseelan V. (2D Materials and Devices Laboratory (2DML), Sir C. V. Raman Research Park, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Kalaiezhily R. K. (Nanotechnology Research Centre (NRC), SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Shinde Nitin Babu (2D Materials and Devices Laboratory (2DML), Sir C. V. Raman Research Park, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Kamala Bharathi K. (Nanotechnology Research Centre (NRC), SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Navaneethan M. (Nanotechnology Research Centre (NRC), SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Eswaran Senthil Kumar (Nanotechnology Research Centre (NRC), SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India) ,  Eswaran Senthil Kumar (2D Materials and Devices Laboratory (2DML), Sir C. V. Raman Research Park, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology (SRMIST), Chennai, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 11  ページ： 8741-8746  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に薄い二硫化モリブデン(MoS_2)薄膜は,現代のナノスケール電子デバイスにおける応用の可能性のために有望な研究方法である。本研究では,化学蒸着MoS_2薄膜のコアレベルX線光電子分光法(XPS)に及ぼすその場アルゴンイオンスパッタエッチングの影響の系統的研究を示した。MoS_2のRaman分光法は薄膜が三層試料であることを明らかにした。三層MoS_2の光ルミネセンススペクトルは,それぞれ1.85と1.99eVのA-とB-励起子発光ピークから成る。三層MoS_2のMo-3dとS-2pレベルのコアレベルXPSスペクトルを,種々のその場スパッタエッチング時間で調べた。成長ままおよび6sスパッタエッチングMoS_2試料は,Moの+4酸化状態に対応するMo-3dスピン-軌道二重項を示した。40秒を超えるスパッタエッチング時間に対して,試料はモリブデンの+6酸化状態を示し,MoS_2とサファイアの間の界面に薄い酸化モリブデンが存在することを示唆した。また,アルゴンイオンスパッタエッチング誘起硫黄欠乏混合S-Mo-Oとサブ化学量論相に起因するMo5+のような中間酸化状態を観測した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *薄膜 ,  *アルゴン ,  *モリブデン ,  酸化モリブデン ,  *スペクトル ,  化学量論 ,  硫化モリブデン ,  サファイア ,  化学蒸着 ,  二重項 ,  *X線光電子分光法 ,  *イオンエッチング ,  *内殻準位
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  酸化状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： X線光電子分光法 ,  研究 ,  CVD ,  成長 ,  薄膜 ,  内殻準位 ,  スペクトル ,  不活性 ,  Ar ,  スパッタエッチング