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J-GLOBAL ID：202202280502763326   整理番号：22A0462677

統計的表面粗さパラメータを用いたAl組み込みc-Si薄膜の濡れ性に関するミクロ形態学的研究【JST・京大機械翻訳】

Micro-morphological investigations on wettability of Al-incorporated c-Si thin films using statistical surface roughness parameters

著者 (6件)： Maity Gurupada (Department of Pure and Applied Physics, Guru Ghasidas Vishwavidyalaya (A Central University), Bilaspur, India) ,  Yadav Ram Pratap (Department of Physics, Deen Dayal Upadhyay Govt. PG College, Allahabad, India) ,  Ojha Sunil (Inter University Accelerator Centre, New Delhi, India) ,  Singhal Rahul (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India) ,  Kanjilal Dinakar (Inter University Accelerator Centre, New Delhi, India) ,  Patel Shiv Poojan (Department of Pure and Applied Physics, Guru Ghasidas Vishwavidyalaya (A Central University), Bilaspur, India)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 54  号： 2  ページ： 174-186  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al添加c-Siおよび/または均一c-Si(すなわち,吸収体層)薄膜の調整可能な表面特性を,3D表面トポグラフィー,統計解析および接触角測定の助けを借りて調べた。吸収体層は,c-Al/a-Si膜上のイオン照射によって開発し,二層膜におけるSiの結晶化をもたらし,そして,トップ未反応Al層を,湿式選択エッチングによって化学的にエッチングした。3D表面トポグラフィーと統計解析を,吸収体膜表面の原子間力顕微鏡画像で行った。分析は,表面が非常に複雑で不規則な等方性であることを示唆する。表面粗さと不規則性はイオンフルエンスの増加と共に減少することが分かった。統計的パラメータによる接触角の変化は,吸収体表面の濡れ性が表面統計パラメータに強く依存することを示唆した。表面は本質的に疎水性であり,疎水性はイオンフルエンスの増加と共に減少することを見出した。低反射吸収体表面の疎水性は,膜が太陽電池応用のための光子吸収層として有用であることを示唆した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  接触角 ,  太陽電池 ,  *濡れ ,  *薄膜 ,  *ケイ素 ,  疎水性 ,  イオン照射 ,  三次元 ,  吸収体 ,  原子間力顕微鏡 ,  *モルフォロジー
準シソーラス用語： 表面トポグラフィー ,  イオンフルエンス ,  選択エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Al組み込みc-Si ,  統計解析 ,  高速重イオン(SHI)照射 ,  濡れ性

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 統計 ,  表面粗さ ,  パラメータ ,  Al ,  組み込み ,  Si薄膜 ,  濡れ性 ,  形態学 ,  研究