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J-GLOBAL ID：202202280768803049   整理番号：22A0924611

可視範囲および自己出力二層p-Si/n-Bi_2S_3ヘテロ接合光検出器:オプトエレクトロニクス性能に対するAuバッファ層の効果【JST・京大機械翻訳】

Visible-range and self-powered bilayer p-Si/n-Bi₂S₃ heterojunction photodetector: The effect of Au buffer layer on the optoelectronics performance

著者 (3件)： Zamani Maryam (Department of Physics, Ahvaz Branch, Islamic Azad University, Ahvaz, Iran) ,  Jamali-Sheini Farid (Advanced Surface Engineering and Nano Materials Research Center, Department of Physics, Ahvaz Branch, Islamic Azad University, Ahvaz, Iran) ,  Cheraghizade Mohsen (Advanced Surface Engineering and Nano Materials Research Center, Department of Electrical Engineering, Ahvaz Branch, Islamic Azad University, Ahvaz, Iran)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 905  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,オプトエレクトロニクス応用のためのナノ構造Bi_2S_3の物理的性質に及ぼすAu被覆の影響を検討するために行った。Bi_2S_3膜を3つの異なる温度で化学蒸着(CVD)を用いて堆積した。構造解析は,多結晶斜方晶系Bi_2S_3膜とBiリッチ組成の形成を示した。さらに,形態学的研究は,表面にナノロッド状形態を有する緻密でコンパクトな膜を示した。Bi_2S_3膜の光学的発展は,堆積温度が上がると,光エネルギーバンドギャップ(E_g)の増加を示す。さらに,Au被覆の添加は,フリーコート試料と比較して,試料の吸収強度とE_gを増加させた。Mott-Schottky分析は,420°Cで堆積したAu被覆試料で最高のキャリア濃度(7.67×10+18cm-3)を示した。製作したp-Si/n-Bi_2S_3ヘテロ接合素子の光検出器特性は,利得(G)と感度(S)を含む品質パラメータ(QP)の有意義な改善を示した。デバイスの電荷輸送機構を,理想因子(n),キャリア移動度(μ),およびトラップ充填制限電位(V_TFL)を詳細に計算して論じた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  温度 ,  電位 ,  *光検出器 ,  *金 ,  被覆 ,  多結晶 ,  利得 ,  キャリア密度 ,  *オプトエレクトロニクス ,  化学蒸着 ,  *バッファ層 ,  バンドギャップ ,  ナノロッド
準シソーラス用語： 電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： メソ構造Bi_2S_3膜 ,  物理蒸着 ,  Auコーティング ,  欠陥放出 ,  電荷輸送機構 ,  p-Si/n-Bi_2S_3ヘテロ接合光検出器 ,  オプトエレクトロニクス性能

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己 ,  二層 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  光検出器 ,  オプトエレクトロニクス ,  Au ,  バッファ層