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J-GLOBAL ID：202202280797236018   整理番号：22A0968722

電子-サイクロトロン共鳴の水素プラズマ中の熱SiO_2処理により得られた非化学量論SiO_xにおける電荷輸送【JST・京大機械翻訳】

Charge Transport in Nonstoichiometric SiO_x Obtained by Treatment of Thermal SiO₂ in Hydrogen Plasma of Electronic-Cyclotron Resonance

著者 (9件)： Iskhakzay R. M. Kh. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia) ,  Kruchinin V. N. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia) ,  Aliev V. Sh. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia) ,  Aliev V. Sh. (Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia) ,  Gritsenko V. A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia) ,  Gritsenko V. A. (Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia) ,  Gritsenko V. A. (Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia) ,  Dementieva E. V. (Ioffe Physical Technical Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Zamoryanskaya M. V. (Ioffe Physical Technical Institute, St. Petersburg, Russia)
資料名： Russian Microelectronics  (Russian Microelectronics)
巻： 51  号： 1  ページ： 24-35  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4926A  ISSN： 1063-7397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,非化学量論誘電体に基づく高速,情報集約型抵抗メモリの新世代が開発されている。非化学量論酸化ケイ素SiO_xの電子構造をパラメータxの値によって設定した。水素プラズマ電子サイクロトロン共鳴における熱SiO_2の処理は過剰なシリコンによる酸化ケイ素の濃縮をもたらし,それはSiO_xにおける電子と正孔トラップの出現に通じる。SiO_x伝導率はバイポーラ:電子は負バイアスシリコンから注入され,正孔は正バイアスシリコンから注入される。陰極線ルミネセンス(CL)実験は,SiO_xのトラップが過剰なシリコンp++-Si(100)/SiO_x/Niメムリスタ金属-誘電体-半導体(MDS)構造に起因するという仮定を,電子サイクロトロン共鳴の水素プラズマ中の非化学量論酸化物の調製のために開発した手順に基づいて作成した。このような構造は,成形操作を必要としないSiO_xの抵抗スイッチングの特性を有する。Copyright The Author(s) 2022. ISSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2022, Vol. 51, No. 1, pp. 24-35. Copyright The Author(s), 2022. This article is an open access publication. Russian Text Copyright The Author(s), 2022, published in Mikroelektronika, 2022, Vol. 51, No. 1, pp. 28-40. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 陰極線ルミネセンス ,  *サイクロトロン共鳴 ,  正孔 ,  電子構造 ,  半導体 ,  誘電体 ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  *非化学量論 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *電荷輸送 ,  正孔トラップ ,  抵抗スイッチング ,  メモリスタ ,  *水素プラズマ ,  抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  サイクロトロン共鳴 ,  水素プラズマ ,  非化学量論 ,  電荷輸送