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J-GLOBAL ID：202202281267541958   整理番号：22A0956255

共有結合プロセスを用いたゲルマニウム薄膜製造【JST・京大機械翻訳】

Germanium thin film manufacturing using covalent bonding process

著者 (7件)： Abadie K (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France) ,  Fournel F (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France) ,  Morales C (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France) ,  Mazen F (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France) ,  Vignoud L (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France) ,  Colonna J-P (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France) ,  Widiez J (University Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 4  ページ： 045012 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,共有結合を用いたSi/Geヘテロ構造製造と,薄いゲルマニウム膜の層移動への応用を扱った。最初に,接合中に使用すべき温度を決定するために,ヘテロ構造の湾曲シミュレーションを検討した。次に,ヘテロ構造の製造に用いる共有結合プロセスを記述し,特性化した。最後に,薄いゲルマニウム膜の層移動過程と観察を提示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  接合 ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *共有結合 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 共有結合 ,  プロセス ,  ゲルマニウム ,  薄膜