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J-GLOBAL ID：202202281757347697   整理番号：22A0436471

高いH_2発生性能を有するエッジスルホン化グラフェン修飾TiO_2光触媒【JST・京大機械翻訳】

Edge-sulfonated graphene-decorated TiO₂ photocatalyst with high H₂-evolution performance

著者 (3件)： Wang Ping (School of Chemistry, Chemical Engineering and Life Sciences, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, PR China) ,  Deng Pinsi (School of Chemistry, Chemical Engineering and Life Sciences, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, PR China) ,  Cao Yanjie (School of Chemistry, Chemical Engineering and Life Sciences, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, PR China)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 47  号： 2  ページ： 1006-1015  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有望な助触媒としてのグラフェンは,光生成電子を急速に移動させることにより光触媒の光触媒H_2発生性能を明らかに促進する。H_2発生のための効率的なグラフェン修飾光触媒系に対して,高速H_2発生反応はグラフェンによる迅速な光電子移動と同様に重要である。本論文では,高いH+吸着活性をもつエッジスルホン化グラフェン(rGO-SO_3H)を,TiO_2ナノ粒子と結合したジアゾ化反応によるグラフェンとベンゼンスルホン酸の間の共有結合の形成によって成功裏に合成して,H_2発生反応を加速するためにrGO-SO_3H/TiO_2光触媒を調製した。結果は,rGO-SO_3H/TiO_2が,TiO_2,rGO/TiO_2,およびSO_3H/TiO_2のそれぞれ5.38,2.81,および3.40倍の高さで,197.1μmolh-1g-1の最高H_2生産速度を示した。rGO-SO_3H/TiO_2の改善された効率は,H+吸着活性部位として,光電子助触媒としてのグラフェンとスルホネートイオンの相乗効果に起因した。本研究は,効率的な水素発生グラフェン系光触媒の新しい洞察を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  吸着 ,  光生成 ,  *スルホン化 ,  スルホン酸 ,  相乗作用 ,  活性部位 ,  共有結合 ,  *光触媒 ,  光電子 ,  ナノ粒子 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： スルホン酸塩 ,  水素発生 ,  還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エッジスルホン化グラフェン ,  ベンゼンスルホン酸 ,  スルホン酸イオン ,  TiO_2 ,  光触媒水素発生

分類 (2件)： 気体燃料の製造  (YE02030F) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： エッジ ,  スルホン化 ,  グラフェン ,  修飾 ,  光触媒