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J-GLOBAL ID：202202281833198070   整理番号：22A0626608

二重リセス障壁層を有するGAN HEMTの高周波雑音モデリング【JST・京大機械翻訳】

High-frequency noise modeling of GAN HEMT with double recessed barrier layer

著者 (5件)： Wu Zhaohui (School of Microelectronics, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Wu Zhaohui (Intelligent Sensing and Wireless Transmission Center, Pazhou Lab, Guangzhou, China) ,  Li Shanshan (School of Microelectronics, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Li Bin (School of Microelectronics, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Li Bin (Intelligent Sensing and Wireless Transmission Center, Pazhou Lab, Guangzhou, China)
資料名： Microwave and Optical Technology Letters  (Microwave and Optical Technology Letters)
巻： 64  号： 3  ページ： 464-470  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0712A  ISSN： 0895-2477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重陥凹障壁層(DRBL)を有するAlGaN/GaN HEMTの物理ベース高周波雑音モデルを示した。従来のGaN HEMTモデルをTCAD上に確立し,測定結果で検証した。40GHzまでのDRBL GaN HEMTの雑音モデルを,確立したモデルに基づいて調査した。その結果,DRBL HEMTは高周波雑音を低減し,周波数が増加すると,低減がより明白になることが分かった。ノイズ性能に関する更なる研究を,陥没領域の深さと長さを変えることによって研究した。結果は,DRBL HEMTが,長さと深さがそれぞれ400nmと9nmであるとき,最良の雑音性能を得て,ミリ波低雑音デバイスの開発において応用ポテンシャルを有することを示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  雑音特性 ,  モデル ,  EHF波 ,  周波数 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： *バリア層 ,  *高周波雑音 ,  雑音モデル ,  TCAD ,  低雑音 ,  *GaN HEMT ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN HEMT ,  ミリ波 ,  騒音性能 ,  物理ベースモデル ,  リセスバリア層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 障壁層 ,  GaN ,  HEMT ,  高周波雑音 ,  モデリング