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J-GLOBAL ID：202202281842176577   整理番号：22A0958720

二重電源電圧を有する4Mb SRAMにおける過渡電離放射線効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on Transient Ionizing Radiation Effects in a 4-Mb SRAM With Dual Supply Voltages

著者 (9件)： Li Tongde (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Zhao Yuanfu (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Wang Liang (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Shu Lei (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Zheng Hongchao (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Cao Weiyi (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Yuan Jingshuang (Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China) ,  Li Junlin (Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China) ,  Wang Chenhui (Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 340-348  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 入力インピーダンス出力(IO)電源電圧とコア電源電圧を持つ4Mb静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)回路に及ぼす過渡イオン化放射効果の影響を研究した。実験結果は,炉心供給電圧の最小動作電圧を回復するにはより長い時間が必要であることを示した。180nmのバルクCMOS技術に基づいて,技術コンピュータ支援設計(TCAD)による3Dモード数値シミュレーションは,寄生バイポーラ効果が供給電圧間の回復過程における不一致において重要な役割をはたすことを示した。この効果は,この論文で深く議論され,シミュレーション結果は,n-ウェル接触が寄生バイポーラの運転モードに大きい影響を持つことを示す。一方,電力供給電圧を改善し,より多くのn-井戸接触を配置することによって,供給電圧外乱軽減法を提示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  シミュレーション ,  入力インピーダンス ,  CAD【計算機】 ,  電力 ,  *電離放射線 ,  三次元 ,  *SRAM ,  RAM【メモリ】 ,  運転モード
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  供給電圧 ,  *電源電圧 ,  TCAD ,  CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電源電圧 ,  SRAM ,  電離 ,  放射線効果 ,  研究