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J-GLOBAL ID:202202281978953999   整理番号:22A0847732

ボトムアイソレーションとパッケージオプションを考慮したマルチナノシートFETにおける自己加熱効果の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Self-Heating Effects in Multi-Nanosheet FET Considering Bottom Isolation and Package Options
著者 (5件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 1524-1531  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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3nm技術ノードにおけるマルチナノシートFET(mNS-FET)の自己加熱効果(SHEs)を,漏れ電流を低減するための基板プロセスであるパンチスルーストップ(PTS)ドーピングとボトム酸化物(BO)の導入を考慮して,デバイスと回路レベルで解析した。バックエンドライン(BEOL)構成とパッケージタイプによる熱経路の変化も考慮した。三次元(3-D)TCADシミュレーションを用いた6つのケース解析を通してPTSドーピングとBOプロセスを最適化した後,SHE特性を研究した。結果として,BOをBOが適用しない場合よりも,SHEによるチャネル温度上昇はより大きく,フェースダウンパッケージは,フェースアップパッケージよりも熱放散においてより効果的であった。次に,論理とアナログ回路の動的操作の間のSHE挙動をSPICEモデリングを通して解析して,回路性能と信頼性に及ぼすこの影響を分析した。結果として,論理リング発振器回路において,SHEは,約1.3%の僅かなAC性能劣化を示したが,信頼性に関しては,15.1%≦22.1%の寿命の減少を引き起こした。2種類のアナログ回路において,回路故障の可能性はSHEによって確認でき,信頼性に関して,53.5%≦89.9%の寿命の減少を引き起こす。したがって,SHEを低減できるデバイスと回路設計が,本研究で分析された様々なプロセスを考慮して必要とされることが期待される。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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