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J-GLOBAL ID：202202281983499079   整理番号：22A1100879

抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)を持つ1トランジスタ1レジスタ素子におけるMax/Min計算に対する機能新論理【JST・京大機械翻訳】

A Functional Novel Logic for Max/Min Computing in One-Transistor-One-Resistor Devices With Resistive Random Access Memory (RRAM)

著者 (10件)： Huang Wei-Chen (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Po-Hsun (Department of Applied Science, Republic of China Naval Academy, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics and the Center of Crystal Research, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Zheng Hao-Xuan (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Yeh Yu-Hsuan (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wu Chung-Wei (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Tan Yung-Fang (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Shih-Kai (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Pei-Yu (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Sze Simon. M. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1811-1815  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,最大/最小メモリコンピューティングを得るための新しい論理を提案した。本研究では,定常で良好な電気特性を提供するために,1トランジスタ1レジスタ(1T1R)抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)を用いた。ゲート電圧を変えることによって,RRAMは多重抵抗状態を達成できる。この特性を用いて,異なるディジタル信号をRRAMの異なる抵抗状態として定義することができた。さらに,最大および最小論理演算は,RRAMにおけるセットおよびリセットプロセスを用いて,1T1Rデバイスだけによって完了することができた。さらに,パルス測定を用いて,計算中のセットとリセットプロセススイッチング時間を比較した。結果は,セットプロセスがリセットプロセスより高速スイッチング時間を達成できることを示した。両操作は,最大/分論理計算を完了するだけでなく,論理回路を単純化し,デバイス密度を増加させ,メモリ内コンピューティング場に対する顕著な利点を提供した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *トランジスタ ,  簡素化 ,  論理回路 ,  *レジスタ ,  多重化 ,  電気特性 ,  論理演算
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  RRAM ,  トランジスタ ,  レジスタ ,  Max ,  計算 ,  論理