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J-GLOBAL ID：202202282679463262   整理番号：22A1082284

非ヒドラジンベース溶液処理経路による細粒フリー2ミクロン厚CISe/CIGSe膜製造を可能にする【JST・京大機械翻訳】

Enabling fine-grain free 2-micron thick CISe/CIGSe film fabrication via a non-hydrazine based solution processing route

著者 (5件)： Deshmukh Swapnil D. (Davidson School of Chemical Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Weideman Kyle G. ,  Ellis Ryan G. ,  Kisslinger Kim ,  Agrawal Rakesh
資料名： Materials Advances  (Materials Advances)
巻： 3  号： 7  ページ： 3293-3302  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6469A  ISSN： 2633-5409  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非ヒドラジン系経路によるCuInSe_2/CuInSe_2(CISe/CIGSe)光起電力素子の溶液処理について過去数年間研究し,デバイス性能の大幅な改善を多重溶媒経路で達成した。しかし,これらのルートのどれも,真空ベース高効率CIGSeデバイスで従来使用されているものの半分である,1.2~1.3ミクロン以上の厚さを有する吸収体の作製を,これまで報告されていない。この限界の主な理由は,溶液ベースシステムにおける微細粒層の形成と関連する。ここでは,底部Mo界面での表面修飾によるアミンチオール系溶液経路におけるそのような微細粒層の生成を操作し,CIGSeデバイスに対して14.1%までの活性面積効率を達成した。さらに,アミン-チオール系膜だけでなく,ジメチルホルムアミド-チオ尿素経路により作製された膜においても,微細粒層の詳細な解析により,前駆体膜中に硫化物材料および炭素不純物(もし)の存在として,そのような微細結晶粒層の形成の理由を同定した。アミン-チオール溶媒系のセレンと金属セレニドの溶解能力を利用して,インキ製剤を操作し,前駆体膜中に捕捉された炭素の程度と同様に,硫化物物質の生成の減少を実証した。改質前駆体膜を用いて,高温,厚さに依存しないバルク成長メカニズムを通して微細粒層の完全な不在で2ミクロン厚さのCISe/CIGSe薄膜を成長させ,高効率ヒドラジン系経路を用いて作製された膜形態に類似した膜形態を作った。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  高温 ,  薄膜 ,  *溶液 ,  溶解 ,  *処理 ,  セレン ,  炭素 ,  硫化物 ,  アミン ,  チオール ,  インク ,  セレン化物 ,  *ヒドラジン ,  前駆体
準シソーラス用語： *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヒドラジン ,  溶液処理 ,  経路 ,  細粒 ,  厚