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J-GLOBAL ID：202202282959725707   整理番号：22A1043478

1.25kVの近単一理想因子とアバランシェ降伏電圧を有する分布分極ドープGaN p-nダイオード【JST・京大機械翻訳】

Distributed polarization-doped GaN p-n diodes with near-unity ideality factor and avalanche breakdown voltage of 1.25 kV

著者 (14件)： Nomoto Kazuki (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Li Wenshen (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Song Bo (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Hu Zongyang (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Zhu Mingda (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Qi Meng (Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Protasenko Vladimir (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Zhang Zexuan (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Pan Ming (IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA) ,  Gao Xiang (IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA) ,  Marchand Hugues (IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA) ,  Johnson Wayne (IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA) ,  Jena Debdeep (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Xing Huili Grace (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 12  ページ： 122111-122111-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゼロドーパントイオン化エネルギーをもつGaNにおける分極誘起(Pi)分布またはバルクドーピングは,Mgの深いアクセプタ特性に起因する不純物ドープp-n接合における温度または周波数分散を減少でき,従って,GaNパワーデバイスが有望な見通しを提供する。Piドーピングの利点を包括的に評価する前に,理想的な接合挙動と高電圧能力を確認する必要がある。本研究では,PiドープGaNパワーp-nダイオードにおいて,ほぼ理想的な前方および逆I-V特性を実証し,線形傾斜コヒーレント歪AlGaN層を組み込んだ。Hall測定は,分極電荷の結果としてp層において8.9×1016cm-3の正孔濃度の正味増加を示した。Piドープn層において,2.5×1016cm-3の記録-低電子濃度を,1μm以上のAl_0-0.72GaNの段階的等級付けにより実現した。Piドープp-nダイオードは,接合端でのバンドギャップの増加のため,不純物ドープp-nダイオードよりも1.1と0.10V高いターンオン電圧の理想因子を有した。0.1mΩcm2の微分固有抵抗を,不純物ドープ対応物と類似のPiドープp-nダイオードから抽出した。Piドープダイオードは,約1.25kVのアバランシェ絶縁破壊電圧を示し,理想的なエッジ終端なしでも高い逆ブロッキング能力を示した。本研究は,分散Piドーピングが,優れた接合特性を維持しながら,正孔濃度を増加させるために,高電圧GaNパワーデバイスに組み込むことができることを確認する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  コヒーレンス ,  *ダイオード ,  *電圧 ,  電気抵抗率 ,  不純物 ,  *分極 ,  マグネシウム ,  *ドーピング ,  ブロッキング ,  *窒化ガリウム ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  絶縁破壊電圧 ,  ターンオン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 理想因子 ,  アバランシェ降伏 ,  分布 ,  分極 ,  ドープ ,  GaN ,  ダイオード