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J-GLOBAL ID：202202283055332823   整理番号：22A0169267

高性能酸化物薄膜トランジスタ用の溶液処理高kハイブリッドゲート絶縁体の温度依存性と機能化【JST・京大機械翻訳】

Temperature dependence and functionalization of solution processed high-k hybrid gate insulators for high performance oxide thin-film transistors

著者 (5件)： Bermundo Juan Paolo S (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Kesorn Ployrung (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Yoshida Naofumi (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Safaruddin Aimi Syairah (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Uraoka Yukiharu (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 7  ページ： 075102 (6pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能および低電圧動作非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFTs)に対して~8.9の高い誘電率(高k)を有する溶液処理ゲート絶縁体(GI)を実証した。高kBaTiO_x(BTO)ナノ粒子とポリシロキサン(PSX)ポリマーマトリックスの組合せによって,約30cm2Vs-1までの高い移動度,<0.5Vの閾値電圧,および低いオフ電流(~10-12A)を達成できる。この組み合わせは650°Cから300°Cの低いプロセス温度を可能にし,一方,強化された性能と低いゲート漏れ電流を確実にする。また,フッ素化による高kハイブリッドBTO/PSXのチューナビリティと,さらに漏れ電流を減らし,ドライエッチング関連劣化を阻害する感光性特性の添加を示した。高kハイブリッドBTO/PSX GIは,高性能および低電圧動作酸化物TFTのための有望な候補である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  誘電率 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  フッ素化 ,  非晶質 ,  漏れ電流 ,  ドライエッチング ,  ナノ粒子 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  低電圧 ,  チューナビリティ ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  溶液処理 ,  ゲート絶縁体 ,  温度依存性