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J-GLOBAL ID：202202283988662550   整理番号：22A1162695

窒素還元反応のための欠陥2Dシリコンリン化物単分子層:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Defective 2D silicon phosphide monolayers for the nitrogen reduction reaction: a DFT study

著者 (8件)： Guo Zhongyuan (Science & Technology Innovation Institute, Dongguan University of Technology, Dongguan 523808, China. [e-mail]) ,  Wang Tianyi ,  Liu Haikun ,  Qiu Siyao ,  Zhang Xiaoli ,  Xu Yongjun ,  Langford Steven J. ,  Sun Chenghua
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 15  ページ： 5782-5793  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N_2の電解還元はNH_3生産のための非常に有望な経路である。NH_3にN_2を活性化および還元できる効率的な触媒の欠如は,実用的応用としてこれを制限する。本研究では,2D層状グループIV-V材料,リン化けい素(SiP)を,電気化学的窒素還元反応(ENRR)のための適切な基板として評価した。N_2を捕捉するために,SiPの平面に1つのリン(P)欠陥を導入した。DFT計算は,欠陥SiP単分子層(SiP上のP欠陥によって定義されるD1-SiP)が,電子伝導率の増大,N_2上の良好な活性化,酵素経路による低い限界電位(U_L=-0.87V),触媒と反応種の間の円滑な電荷移動,および堅牢な熱安定性のために,ENRRに対して大きな展望を示すことを見出した。重要なことに,D1-SiPはH_2とN_2H_4副生成物の生成に対する抑制活性を示した。本研究は,窒素固定のための2D金属フリーSiベース触媒の可能性を実証し,ENRRのためのIV-V族材料の研究をさらに濃縮した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *還元 ,  電位 ,  電荷移動 ,  *窒素 ,  触媒 ,  酵素 ,  カソード還元 ,  *単分子層 ,  窒素固定 ,  *リン化物 ,  電気化学 ,  *二次元 ,  密度汎関数法 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 電子伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 貴金属触媒  (CB06122I) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 窒素 ,  還元反応 ,  欠陥 ,  2D ,  シリコン ,  リン化物 ,  単分子層 ,  DFT ,  研究