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J-GLOBAL ID：202202284155631097   整理番号：22A0427802

低エネルギーイオン散乱分光法による欠陥InP(001)表面の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Defect InP(001) Surface by Low Energy Ion Scattering Spectroscopy

著者 (5件)： Karimov Muxtor K. (Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.) ,  Kuryozov F.O. (Urgench Branch of Tashkent Medical Academy, Urgench Uzbekistan 28, Al-Khorazmi St.) ,  Sadullaev Sh.R. (Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.) ,  Otabaev M.U. (Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.) ,  Bobojonova S.B. (Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 1049  ページ： 192-197  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低エネルギーグレージングイオン衝撃下の欠陥InP(001)<110>,<i10>表面上のイオン散乱過程の研究に関する計算機シミュレーション結果を示した。表面欠陥,原子鎖および半チャネルからの散乱イオンの特殊軌道を計算機シミュレーションによって研究した。ループ形状および線型を有する表面原子鎖近くのいくつかの軌跡を見出した。すれすれイオン入射において,散乱粒子の実験および計算エネルギー分布の相関から,イオン衝突によって損傷した単結晶表面上の欠損原子の空間拡張を決定することができた。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  *散乱 ,  単結晶 ,  計算機シミュレーション ,  表面欠陥 ,  *リン化インジウム ,  エネルギー分布 ,  イオン衝突 ,  線形性 ,  *イオン散乱 ,  チャネル
準シソーラス用語： 原子鎖 ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エネルギー分布 ,  イオン散乱 ,  計算機シミュレーション ,  欠陥 ,  セミチャネル

分類 (3件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失  (BK16100J) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギーイオン散乱分光法 ,  欠陥 ,  InP ,  研究