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J-GLOBAL ID:202202284477845524   整理番号:22A0442246

効率的な太陽水素生産のためのSb_2Se_3/CdS光電陰極における高い開始ポテンシャルを可能にするヘテロ接合界面工学【JST・京大機械翻訳】

Heterojunction interface engineering enabling high onset potential in Sb2Se3/CdS photocathodes for efficient solar hydrogen production
著者 (10件):
資料名:
巻: 431  号: P3  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0723A  ISSN: 1385-8947  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Sb_2Se_3は,その優れた光電子特性から利益を得る理想的な光電陰極候補として出現し,光電流発生において急速な発展を得た。しかし,高い光電流密度(J_ph)と開始電位(V_on)の両方を達成することは,非常に重要である。本研究では,大きな結晶粒,良性配向,および正確な組成を有するSb_2Se_3の自己組織化成長を,スパッタおよびセレン化Sb前駆体を含む組み合わせ反応を介して初めて行った。次に,Mo/Sb_2Se_3/CdS/Pt光電陰極を構築した。デバイス性能に影響するセレン化条件依存Sb_2Se_3膜品質に加えて,付加的Sb_2Se_3/CdSヘテロ接合ポストアニーリングは,強い正の効果を示した。バンド整列修飾,電荷輸送強化,および表面濡れ性改善のおかげで,チャンピオンデバイスは,J_phが16.25mAcm-2,V_onが0.52V_RHE,HC-STH変換効率が2.58%であった。このような界面工学は,太陽水素生産応用の範囲を広げるための高V_onSb_2Se_3光電陰極を作製する道を開く。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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吸着,イオン交換 

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