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J-GLOBAL ID：202202285621824067   整理番号：22A1156164

薄膜トランジスタガスセンサのレビュー:抵抗および容量センサとの比較【JST・京大機械翻訳】

Review of Thin Film Transistor Gas Sensors: Comparison with Resistive and Capacitive Sensors

著者 (4件)： Singh A. K. (Thin Film Devices Laboratory, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Jamshedpur, Jamshedpur, India) ,  Chowdhury N. K. (Thin Film Devices Laboratory, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Jamshedpur, Jamshedpur, India) ,  Roy Somnath C. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, Tamil Nadu, India) ,  Bhowmik B. (Thin Film Devices Laboratory, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Jamshedpur, Jamshedpur, India)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 5  ページ： 1974-2003  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レビューは,材料合成,電気的キャラクタリゼーションおよびセンシング特性に特に重点を置いて,薄膜電界効果トランジスタ(TFT)ベースのガスセンサに関するものである。TFTセンサの抵抗と容量センサとの比較解析を行った。比較は,抵抗と容量センサがより高い感度を持つが,TFTセンサは選択性と信頼性の向上を提供することを明らかにした。これは抵抗と容量デバイスの場合とは異なり,より高い動作温度の必要性を低減するセンシングチャネルを通るゲート電圧誘起キャリア輸送に起因する。ガス検知機構は,ガス-固体界面での吸着-脱着等温線と仕事関数変調を考慮して共に関係する。電極の種類と表面状態の密度は,感度と信頼性向上のために主要な役割を果たす。安定性,再現性および選択性改善に影響する因子についても議論した。図式図はCopyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度 ,  吸着 ,  仕事関数 ,  脱着 ,  *薄膜 ,  信頼性 ,  FET【トランジスタ】 ,  *薄膜トランジスタ ,  容量 ,  電圧発生 ,  センサ ,  等温線
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  *静電容量センサ ,  信頼性向上 ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜電界効果トランジスタ(TFT) ,  ガスセンサー ,  センシング機構 ,  抵抗センサ ,  容量センサ

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  ガスセンサ ,  レビュー ,  容量センサ