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J-GLOBAL ID：202202286095931465   整理番号：22A0924356

室温における優れたNO_2センシングのためのMoS_2の基底面の活性化と修飾【JST・京大機械翻訳】

Activating and modifying the basal planes of MoS₂ for superior NO₂ sensing at room temperature

著者 (5件)： Zhang Liaochuan (School of Science, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China) ,  Liang Yuyu (School of Science, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China) ,  Yu Lingmin (School of material and chemical engineering, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China) ,  Wang Hongjun (Department of Physics, Shaanxi University of Science and Technology, Xi’an 710021, China) ,  Yin Mingli (School of Science, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 359  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料のガス検知性能は,それらの不活性基底面によって大いに妨げられる。本研究では,2D-in-3D構造の階層的MoS_2材料を,アルゴン雰囲気中でのその後の高温アニーリングとNO_2ガス検知用途のためのZnドーピングによる容易な水熱法により合成した。高温アニーリングはMoS_2材料が多数のS-空孔欠陥を生成し,強い層間結合とスピン-軌道結合効果をもたらす。700および850°Cでアニールした階層的MoS_2は,感度,応答および回復速度,選択性および安定性に関して,室温で非常に高いガス検知性能を示した。遷移金属Zn元素の導入はMoS_2材料のガス検知性能をさらに改善した。Znドーピング後,850°Cで焼鈍したMoS_2は,8.1ppbの検出限界で1405%~100ppmのNO_2の前例のないガス応答に達した。関連するガス検知機構を深く議論した。本研究は,堅牢なアーキテクチャを有するMoS_2の基底面を活性化および修飾するための簡単で非常に効率的な方法を開いた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  焼なまし ,  水熱合成 ,  遷移金属 ,  複合材料 ,  *亜鉛 ,  選択性 ,  ドーピング ,  二次元 ,  検出限界 ,  三次元 ,  計算機アーキテクチャ ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 層間結合 ,  ガス検知 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ガスセンシング ,  NO_2 ,  MoS_2 ,  基底面 ,  室温

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  センシング ,  基底面 ,  活性化 ,  修飾