文献

J-GLOBAL ID：202202286555252274   整理番号：22A0983332

通常オフ高Electron移動度発光トランジスタの設計とシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Design and Simulation of Normally Off High-Electron-Mobility Light-Emitting Transistor

著者 (3件)： Makki Aya Hekmet (Department of Electronics Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, South Korea) ,  Makki Aya Hekmet (Laser and Optoelectronics Engineering Department, University of Technology-Iraq, Baghdad, Iraq) ,  Park Si-Hyun (Department of Electronics Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, South Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 219  号： 6  ページ： e2100547  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,通常オフGaNベースの高電子移動度発光トランジスタを設計し,シミュレートした。提案した構造は,デバイス面積を著しく最小化し,金属インターコネクタにより導入された寄生成分を除去し,通常オフ動作条件による故障安全動作を確実にし,製作の単純さ,表示応用の好ましい品質を提供した。2Dコンピュータ支援設計ソフトウェア(SilvacoのTCAD)を用いて,デバイスの電気的および光学的特徴を調べ,ゲート電圧による良好な出力電力線形性および光強度制御を明らかにした。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  キャリア移動度 ,  光学的性質 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  CAD【計算機】 ,  故障 ,  線形性 ,  ソフトウェア ,  二次元 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： 光強度 ,  インターコネクタ ,  電子移動度 ,  TCAD ,  運転条件 ,  ゲート電圧 ,  *発光トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  HEMT ,  発光トランジスタ ,  ノーマルオフ発光トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： オフ ,  移動度 ,  発光トランジスタ ,  設計 ,  シミュレーション