文献

J-GLOBAL ID：202202287057715635   整理番号：22A0640357

グラフェン/炭化ケイ素テンプレート上に成長させたねじれグラフェンの走査プローブ分析【JST・京大機械翻訳】

Scanning probe analysis of twisted graphene grown on a graphene/silicon carbide template

著者 (6件)： Yao Yao (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Negishi Ryota (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Takajo Daisuke (Research Center for Thermal and Entropic Science, Graduate School of Science, Osaka University, 1-1 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Takamura Makoto (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1, Morinosato Wakamiya Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Taniyasu Yoshitaka (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1, Morinosato Wakamiya Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Kobayashi Yoshihiro (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 15  ページ： 155603 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エタノール化学蒸着による固体テンプレートとしてエピタキシャルグラフェン/炭化ケイ素(SiC)上のグラフェンの上層成長を,900°Cから1450°Cまでの広い成長温度範囲で行った。原子間力顕微鏡と走査トンネル顕微鏡を用いた構造解析は,1300°Cで成長させたグラフェン島が単結晶として六方晶ねじれ二層グラフェンを形成することを明らかにした。成長温度が1400°Cを超えると,成長したグラフェン島は円形を示した。さらに,異なる期間を有するモアレパターンを単一グラフェン島で観察した。これは,高温で成長したグラフェン島が,異なるねじれ角を有するいくつかのグラフェンドメインから成ることを意味する。これらの結果から,1300°Cでのエピタキシャルグラフェン/SiC固体上のグラフェン被覆層の成長は,高結晶性のねじれた少数層グラフェンを効果的に合成すると結論した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  単結晶 ,  構造解析 ,  *炭化ケイ素 ,  *成長 ,  六方晶系 ,  化学蒸着 ,  *ねじり変形 ,  上層 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  *グラフェン ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 二層グラフェン ,  数層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  炭化ケイ素 ,  テンプレート ,  成長 ,  ねじれ ,  走査 ,  プローブ ,  分析