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J-GLOBAL ID：202202287625329558   整理番号：22A0482794

埋め込み冷却空洞を有するシリコンインターポーザ内部のRF同軸TSV構成のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of the RF Coaxial TSV Configuration Inside the Silicon Interposer With Embedded Cooling Cavity

著者 (7件)： Li Wei (School of Software and Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Liu Zongxi (School of Software and Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Qian Wenbing (School of Software and Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Zhenyu (School of Software and Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Wei (School of Electronics Engineering and Computer Science, Peking University, Beijing, China) ,  Zhao Yongzhi (13th Research Institute of CETC, Shijiazhuang, China) ,  Zhang Xiaobin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 12  号： 1  ページ： 3-10  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,埋め込み冷却空洞を有するシリコンインターポーザにおける低損失RF同軸スルーシリコンビア(TSV)(C-TSV)構成を提案した。埋め込み冷却空洞を通過する単一C-TSVアレイに対して,異なる冷却剤による伝送損失を比較した。FC770に浸漬された挿入損失は40GHzで0.14dBであり,それは典型的なC-TSVインターポザ(0.2dB)に閉じる。それは脱イオン水(6.49dB)よりはるかに小さい。FC770冷却剤を充填した多重C-TSVアレイの最適間隔は,600Ωμm(40GHzで0.16dBの垂直伝送)であった。冷却キャビティをFC770冷却剤とインターポーザに埋め込むと,パワーデバイスの最大表面温度は250W/cm2熱流束で56.8°C以下になる。固体シリコンインターポーザと比較して,埋込み冷却空洞を有するC-TSVインターポーザの最大von Mises熱応力は,44.8%減少した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱応力 ,  *ケイ素 ,  熱流束 ,  挿入損 ,  多重化 ,  冷却剤 ,  脱イオン水 ,  浸漬 ,  伝送損失 ,  表面温度
準シソーラス用語： *インターポーザ ,  パワーデバイス ,  シリコン貫通ビア ,  コアキシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 埋め込み ,  空洞 ,  シリコン ,  インターポーザ ,  RF ,  同軸 ,  TSV ,  モデリング