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J-GLOBAL ID：202202287761780722   整理番号：22A0553330

SiCパワーMOSFETのためのAl_2O_3/LaAlO_3/SiO_2ゲートスタックの静的性能と閾値電圧安定性改善【JST・京大機械翻訳】

Static Performance and Threshold Voltage Stability Improvement of Al₂O₃/LaAlO₃/SiO₂ Gate-Stack for SiC Power MOSFETs

著者 (7件)： Huang Linhua (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Liu Yong (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Peng Xin (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Onozawa Yuichi (Fuji Electric Company, Ltd, Matsumoto, Japan) ,  Tsuji Takashi (Fuji Electric Company, Ltd, Matsumoto, Japan) ,  Fujishima Naoto (Fuji Electric Company, Ltd, Matsumoto, Japan) ,  Sin Johnny K. O. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 690-695  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸着高kゲート誘電体を用いて,4H-SiC上に,横方向の金属-酸化物型半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。高kゲートスタックは薄いAl_2O_3キャップで覆われた薄い窒化SiO_2と40nmのLaAlO_3から成る。高kゲートMOSFETは,従来のSiO_2ゲートMOSFETに比べてチャネル抵抗(V_gs=15Vで)の40%低減を達成した。さらに,高kゲートMOSFETの双方向移動特性は,わずかなヒステリシスを示し,室温および高温下で,-15V≦V_gs≦16Vの範囲で,競合者に比べて優れた閾値電圧安定性を示した。従って,Al_2O_3/LaAlO_3/SiO_2ゲートスタックは,SiCパワーMOSFETに対して低いオン抵抗と良好な閾値電圧安定性の両方を提供できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属 ,  高温 ,  *閾値 ,  半導体 ,  酸化物 ,  窒化 ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  *炭化ケイ素 ,  蒸着 ,  *ゲート【半導体】 ,  オン抵抗 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  4H-SiC ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  ゲートスタック ,  閾値電圧 ,  安定性